三星和美光两家公司正在积极筹备扩张 HBM DRAM，以应对消费级存储市场低迷的现状。三星已经开发出速度为 9.8Gbps 的 HBM3E，并计划向客户提供样品。三星正在开发 HBM4，并积极开发各种技术，包括针对高温热特性和混合键合的优化的非导电胶膜组装技术等。美光也在积极筹备 HBM 生产，于 11 月 6 日在台中开设了新工厂，以满足人工智能、数据中心、边缘计算和云服务等各种应用日益增长的需求。美光首席执行官 Sanjay Mehrotra 透露，该公司计划在 2024 年初开始大量出货 HBM3E。