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SK 海力士计划斥资近 40 亿美元建设其首家美国芯片厂2024 年 4 月 4 日

SK 海力士将在美国印第安纳州投资 38.7 亿美元建设首家美国芯片厂,厂址位于 West Lafayette,预计 2028 年下半年量产。该厂将专注于生产下一代高带宽存储芯片,这些芯片对于 AI 系统中的图形处理器至关重要。

链接官宣!SK 海力士将投资近 40 亿美元在美建芯片封装厂
新浪科技 / 快科技
链接SK 海力士计划斥资近 40 亿美元建设其首家美国芯片厂
新浪科技 / 财联社 / 凤凰科技
链接SK 海力士拟投资近 40 亿美元,建设其首家美国芯片工厂
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