4 月 23 日
三星半导体宣布第九代 V-NAND 1Tb TLC 产品开始量产,位密度提高 50%,采用通道孔蚀刻技术提升生产效率。新品具有更高单元层数,数据传输速度提升 33%,功耗降低 10%。三星计划在今年下半年开始量产四层单元(QLC)的第九代 V-NAND,并有望在未来推出堆叠层数达 430 层的第十代 V-NAND 产品。
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