SK 海力士正在测试东京电子的低温蚀刻设备，以提高 3D NAND 闪存颗粒的堆叠层数，以增加存储容量。新设备能在更短的时间内完成蚀刻，并且使用更环保的氟化氢气体。如果测试成功，将有助于未来生产超过 400 层的 NAND 闪存，并可能将堆栈数量减少到 2 层或 1 层。竞争对手三星电子也在评估这一设备。