6 月 18 日
三星电子计划推出名为 SAINT-D 的 3DIC 先进封装技术,该技术能将处理器和 HBM 内存垂直集成,通过在两者间建立硅中介层来减少距离,从而降低传输延迟,提升电信号质量和数据移动效率。该技术概念验证阶段已正在进行,有望应用于明年的 HBM4 内存中,进而推动 AI 半导体领域和公司 HBM 及代工业务的发展。根据 MGI 数据,先进封装市场的规模预计将从 2023 年的 345 亿美元增长至 800 亿美元。
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