三星在其第九代 V-NAND 中尝试使用钼进行金属布线，这一新工艺有望提高半导体性能。八大半导体制造工艺中，金属布线是关键步骤，用于连接数十亿个电子元器件。三星已从 Lam Research 引进五台钼沉积机，并计划明年引进 20 台。此外，SK 海力士、美光和 Kioxia 等公司也在考虑使用钼。第九代 V-NAND 的位密度比第八代提高了约 50%，并配备了下一代 NAND 闪存接口 「Toggle 5.1」，数据输入 / 输出速度提高了 33%。同时，三星还计划通过扩大对 PCIe 5.0 的支持来巩固其在高性能固态硬盘市场的地位。