在 2021 年 IEEE 国际电子设备会议 (IEDM) 上，英特尔概述了其实现混合键合封装互连密度提高 10 倍以上、晶体管缩放面积提高 30% 至 50%、新电源和存储器技术的重大突破以及新的物理学中的概念可能有一天会彻底改变计算 … 另一个进步是英特尔行业领先的低延迟读 / 写功能，它使用新型铁电材料实现下一代嵌入式 DRAM 技术，该技术可以提供更大的内存资源，以解决从游戏到人工智能的计算应用程序日益复杂的问题 … 组件研究是英特尔技术开发的研究小组，负责提供革命性的工艺和封装技术选项，扩展摩尔定律并支持英特尔产品和服务。