三星电子和 SK 海力士计划于 2026 年推出新型堆叠式移动内存产品，分别为 LP Wide I/O 内存和 VFO 技术，以提供更强大的端侧 AI 支持。这两种技术都采用扇出封装和垂直通道相结合的方法，旨在提高内存性能。新一代移动内存将根据合作伙伴的需求进行定制供应，有望重塑移动 DRAM 市场格局。