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三星电子计划 2026 年推出最后一代 10nm 级工艺 1d nm2024 年 9 月 6 日

三星电子 DS 部门展示了未来内存产品路线图,计划在 2024 年推出 1c nm 制程 DDR 内存,提供 32Gb 颗粒容量。2026 年推出最后一代 10nm 级工艺 1d nm,同样最大提供 32Gb 容量。

链接三星电子大跃进:2024 推 1cnm 制程 DDR,2026 直逼 1dnm 工艺!
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链接三星电子计划在 2026 年推出最后一代 10nm 级工艺 1d nm
财联社 / 凤凰科技
链接三星电子计划 2026 年推出最后一代 10nm 级工艺 1d nm
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