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美光宣布 1γ DRAM 内存开始出货:性能提升 15%,功耗降低 20% 以上2 月 26 日

美光科技宣布推出基于 1γ 节点的第六代 DRAM 节点 DDR5 内存样品,速度提升 15%,功耗降低超 20%,热管理性能改善,比特密度提升超 30%,满足数据中心和端侧 AI 设备的高性能计算需求。

链接美股异动|美光科技盘前续涨 1.7% 1γ DRAM 内存开始出货 性能较上一代提升 15%
格隆汇
链接美光 DDR5 内存突破 1γnm 工艺,首用 EVU 技术,单条容量可达 128GB
ITBear 科技资讯
链接美光 1γ DRAM 内存样品出炉:速度飙升 15%,功耗大降 20%!
ITBear 科技资讯
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