SK 海力士在 1cnm 工艺 DRAM 芯片技术上取得突破，良品率从 60% 提升至 80%-90%，性能显著提升：运行速率达 8Gbps，能效提高 9% 以上，生产效率提升超 30%。这一进展有望助力其在 AI 浪潮中挑战三星的市场地位，并为数据中心节省 30% 以上电力成本，重塑存储市场格局。