LG 电子生产技术研究所启动混合键合设备开发，计划 2028 年实现大规模量产。该技术将用于 16 层以上 HBM 内存堆叠，采用无凸块铜-铜键合，缩小 DRAM 芯片间距，提升堆叠层数并降低发热。