2 月 5 日
三星将在 2024 年 IEEE 国际固态电路峰会上推出包括 GDDR7 内存和超高速 DDR5 内存芯片在内的多款尖端内存产品。其中,32Gb DDR5 DRAM 采用 12 纳米级工艺技术,提供两倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量,每个引脚的 I/O 速度高达 8000Mbps。这款产品可实现高达 1TB 的 DRAM 模块,满足人工智能和大数据时代对高容量 DRAM 的需求。新的 32Gb DRAM 还使得在不使用 TSV 工艺的情况下生产 128GB 模块成为可能,有助于降低数据中心的功耗。
![链接](/_next/image?url=%2Ficons%2Ficn-url.webp&w=32&q=75)
三星即将发布创新 DDR5 内存:12 纳米工艺引领行业新风向
ITBear 科技资讯
![链接](/_next/image?url=%2Ficons%2Ficn-url.webp&w=32&q=75)
消息称三星将发布超高速 32Gb DDR5 内存芯片,容量翻倍且更省电
IT 之家 / 中关村在线 / 搜狐科技
![展开](/_next/image?url=https%3A%2F%2Freadhub-next-cdn.nocode.com%2F_next%2Fstatic%2Fmedia%2Ficon-arrow-down.bbe69358.png&w=32&q=75)
![展开](/_next/image?url=%2Ficons%2Ficon-arrow-down.png&w=32&q=75)
2024-06-27
高通要价过高,三星 Galaxy S25 系列据传将采用联发科天玑芯片2024-06-13
三星计划加快交付 AI 芯片,整合全球领先服务提升生产效率2024-06-13
三星酝酿芯片技术路线图,以争取 AI 业务2024-06-12
消息称三星电子 12nm 级 DRAM 内存良率不足五成,已就此成立专门工作组2024-05-10
消息称三星 Galaxy S25 Ultra 手机内存将升至 16GB2024-05-07
三星宣布即将量产首款 3nm Exynos 芯片2024-04-24
消息称三星探索逻辑芯片混合键合,最早后年推出 3D 移动处理器2024-04-07
三星据悉获英伟达 AI 芯片 2.5D 封装订单2024-04-04
三星谋划 3D 堆叠内存:10nm 以下一路奔向 2032 年2024-03-04
三星考虑将 MUF 技术应用于服务器 DRAM 内存查看更多
体验专业版特色功能,拓展更丰富、更全面的相关内容。