Readhub
7 月 1 日
三星电子完成第六代 10nm 级 DRAM 内存工艺 1c 纳米的开发，并批准进入量产准备阶段。
话题追踪2025-12-03
三星宣布首款 2 纳米芯片 Exynos 2600 S26 系列率先搭载2025-12-02
三星完成第六代 HBM4 芯片开发 向英伟达送样待量产批示2025-11-19
三星公布首批 2 纳米芯片性能数据，加速追赶台积电2025-11-18
三星 2nm 工艺相较 3nm 能效提升 8%，Exynos 2600 率先采用2025-10-01
三星电子将与 OpenAI 合作 以迎合 DRAM 芯片需求激增2025-08-06
三星修改 DDR4 停产计划：将继续生产至 2026 年 12 月2025-07-29
郭明錤：特斯拉 AI6 芯片预计用三星 2 纳米工艺，难预测能否如期量产2025-07-02
三星代工战略调整：聚焦稳定发展与成熟工艺优化2025-07-01
三星电子完成 1c 纳米 DRAM 内存工艺开发 准备向量产转移查看更多
专业版功能体验专业版特色功能，拓展更丰富、更全面的相关内容。
© 2025 NoCode 无码科技（杭州）有限公司浙ICP备17005035号-6联系我们加入我们产品介绍
科技新闻，每天 3 分钟