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三星电子完成 1c 纳米 DRAM 内存工艺开发 准备向量产转移
7 月 1 日
三星电子
完成第六代 10nm 级 DRAM 内存工艺 1c 纳米的开发,并批准进入量产准备阶段。
三星电子完成 1c 纳米 DRAM 内存工艺开发 准备向量产转移
财联社 / 格隆汇
三星电子完成 1c 纳米 DRAM 内存工艺开发,准备向量产转移
钛媒体 / 36Kr
消息称三星电子完成 1c 纳米 DRAM 内存工艺开发,准备向量产转移
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