三星计划在下一代 DRAM 极紫外光刻工艺中采用金属氧化物抗蚀剂（MOR），以替代现行的化学放大胶（CAR）。这一改变旨在满足未来光刻对分辨率、抗蚀刻性和线边缘粗糙度的更高要求。三星打算在今年下半年生产第 6 代 10 纳米 DRAM（1c DRAM），其中将使用 MOR 特别是在六层或七层上的 EUV 光刻胶。同时，三星正与包括 Inpria、杜邦、东进半导体和三星 SDI 在内的多家供应商测试开发 EUV MOR 光刻胶材料。