英特尔宣布其 3nm 级工艺技术 Intel 3 已在俄勒冈州和爱尔兰的工厂大批量生产，面向数据中心应用，带来了性能和晶体管密度的提升，支持 1.2V 电压。新工艺不仅用于英特尔自家产品，也向代工厂客户开放。英特尔表示，在相同功率和晶体管密度下，新节点可实现 18% 的性能提升，并提供不同金属堆栈选项以优化性能和成本。未来还将推出支持硅通孔的 Intel 3T 和针对不同工作负载优化的 Intel 3-E 和 Intel 3-PT 版本。