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SK 海力士 5 层堆叠 3D DRAM 制造良率据悉已达 56.1%2024 年 6 月 24 日

SK 海力士在美国夏威夷的 VLSI 2024 会议上发表了关于 3D DRAM 的研究论文,报告称其 5 层堆叠的 3D DRAM 制造良率达到了 56.1%,与现有 2D DRAM 特性相似。这是 SK 海力士首次公开 3D DRAM 的具体开发数据和运行特性。

链接消息称 SK 海力士 5 层堆叠 3D DRAM 制造良率已达 56.1%
财联社
链接SK 海力士 5 层堆叠 3D DRAM 新突破:良品率已达 56.1%
快科技
链接消息称 SK 海力士五层堆叠 3D DRAM 内存良率已达 56.1%
IT 之家 / 搜狐科技
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