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铠侠公布 3D NAND 闪存发展蓝图:计划 2027 年实现 1000 层堆叠2024 年 6 月 28 日

铠侠公布 3D NAND 闪存发展蓝图,预计 2027 年实现 1000 层堆叠,目标比三星更为激进。铠侠已推出 218 层 BiCS8 3D NAND,未来可能探索五层单元技术,提高位密度。

链接铠侠目标 2027 年 3D NAND 闪存实现 1000 层堆叠
财联社
链接铠侠公布 3D NAND 闪存发展蓝图:计划 2027 年实现 1000 层堆叠
快科技
链接铠侠雄心壮志,目标 2027 年 3D NAND 闪存实现 1000 层堆叠
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