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SK 海力士加大环保投入,在芯片生产工艺中使用氟气替代三氟化氮2024 年 7 月 25 日

SK 海力士将在芯片生产清洗工艺中采用更环保的氟气(F2),替代原有使用的三氟化氮(NF3),因氟气的全球变暖潜能值(GWP)远低于 NF3。同时,公司还增加了氢氟酸(HF)的使用,其 GWP 为 1,以降低氟碳气体的使用。

链接SK 海力士采用氟气清洗工艺 环保低碳
中关村在线
链接SK 海力士加大环保投入,在芯片生产工艺中使用氟气替代三氟化氮
IT 之家
链接SK 海力士将更环保气体运用于芯片清洁工艺
财联社
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