8 月 1 日
SK 海力士计划加速开发下一代 NAND 闪存，目标是在 2025 年末完成 400 + 层堆叠 NAND 的量产准备，并在 2026 年二季度开始大规模生产。
顶
分享
话题追踪
2024-09-03
三星和 SK 海力士拟商业化堆叠式移动内存 以增强设备端侧 AI 性能2024-08-29
SK 海力士开发出第六代 10 纳米级 DDR5 DRAM2024-08-01
消息称 SK 海力士加速 NAND 研发，400 + 层闪存明年末量产就绪2024-07-30
SK 海力士推出全球最高性能 GDDR7，相比上代运行速度提升 60%2024-06-24
SK 海力士 5 层堆叠 3D DRAM 制造良率据悉已达 56.1%2024-06-12
SK 海力士将于 2025 年一季度量产 GDDR7 显存2024-05-09
SK 海力士宣布开发新一代移动端 NAND 闪存解决方案 「ZUFS 4.0」2024-05-07
消息称 SK 海力士测试东京电子低温蚀刻设备，有望简化闪存生产2024-04-09
消息称三星、SK 海力士推进移动内存堆叠技术量产，满足 AI 需求2024-04-02
SK 海力士宣布业界率先完成氖气回收技术开发，每年可节省 400 亿韩元查看更多
专业版功能体验专业版特色功能，拓展更丰富、更全面的相关内容。
