8 月 13 日
SK 海力士研究员 Seo Jae-Wook 在会议上提出,由于 1c DRAM 开始 EUV 光刻成本激增,考虑转向 4F2 或 3D 结构的 DRAM 以降低成本。4F2 DRAM(VG DRAM)可减少约 30% 芯片面积,并能在 0a nm 节点后量产。同时,从 1d nm 节点开始,先进内存将使用 EUV 多重曝光,大幅提高成本。转向 VG 或 3D DRAM 结构能将 EUV 光刻成本降至传统 6F2 DRAM 的一半以下,但 VG DRAM 的 EUV 成本会在 1~2 代工艺后急剧上升,而 3D DRAM 则需大规模投资于沉积与蚀刻设备。
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