德州仪器在日本会津的工厂开始生产氮化镓（GaN）功率半导体产品，实现了产能四倍增长。公司已验证 200mm GaN 技术并量产，计划到 2030 年将内部制造率提升至 95%，确保 GaN 高功率、高能效半导体产品的稳定供应。此外，公司还进行了 300mm 晶圆 GaN 制造工艺的试点，以扩展 GaN 器件至 900V 及更高电压。