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消息称三星电子 1d DRAM 有望明年年底初步量产
6 月 17 日
三星电子正携手合作伙伴加紧研发用于量产第七代 10 纳米级（1d）DRAM 的设备，量产设备拟于明年第二季度或第三季度导入，预计最早明年年底开始初步量产。1d DRAM 电路线宽为 10 至 11 纳米，窄于目前商用的第六代 1c DRAM（11 至 12 纳米），性能和能效更好，预计将用于 2029 年商业化的第九代高带宽内存（HBM5E）核心芯片。
消息称三星电子 1d DRAM 有望明年年底初步量产
同花顺财经/财联社/格隆汇/36Kr
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