5 月 31 日
三星电子正在按计划推进 eMRAM 内存的制程升级,8nm 版本的开发已基本完成。eMRAM 是一种新型内存,基于磁性原理,具有非易失性和高效节能的特点,同时写入速度是 NAND 的 1000 倍,适用于对写入速率要求较高的应用。
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三星电子正在按计划推进 eMRAM 内存的制程升级,8nm 版本的开发已基本完成。eMRAM 是一种新型内存,基于磁性原理,具有非易失性和高效节能的特点,同时写入速度是 NAND 的 1000 倍,适用于对写入速率要求较高的应用。