英特尔董事提出，未来 GAAFET 和 CFET 等新型晶体管设计可能减少对 EUV 光刻机的依赖，转而更注重刻蚀技术。这些三维结构对精确刻蚀提出更高要求，标志着芯片制造技术可能迎来重大转变。